Cidade: São Paulo
Atualmente, a alumina com DBC (Direct Bonding Copper) é a mais usada como substrato para dispositivos eletrônicos de alta potência. Porém, a sua baixa condutividade térmica e o alto coeficiente de expansão térmica (CET) em relação ao Si limitam a sua aplicação na fabricação de dispositivos com potências mais elevadas. O nitreto de alumínio (AlN) é uma nova cerâmica avançada que apresenta,…
Os dispositivos semicondutores de potência fabricados com silício apresentam junções semicondutoras profundas, com cerca de 100µm de profundidade. Para assegurar o funcionamento dos dispositivos e minimizar os efeitos de borda nos valores de tensões de ruptura, as regiões expostas dessas junções devem apresentar um perfil definido com ângulo muito bem determinado. Este ângulo pode ser obt…
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